新一代半导体材料与器件研究所贯彻学院、新一代半导体材料研究院协同发展规划，合力攻关新一代半导体材料与功率器件科研难题，进行有组织的科研，突破“卡脖子”技术封锁，积极带动科研成果产业化。

研究所拥有教育部首批支持的新一代半导体材料战略科技创新平台，现有教职工40人，其中教授/研究员24人（其中国家级和省部级人才11人），副教授/副研究员11人，讲师/助理研究员4人，高级实验师1人。近五年来承担国家级项目30余项，省部级项目30余项，总经费近5亿元。

代表性成果包括突破了8英寸碳化硅单晶生长技术、开发出1200V碳化硅MOSFET器件、650-5000V碳化硅SBD器件，满足了新能源汽车、光伏发电等领域对高效率高耐压功率器件的需求；报道了首枚硅基GaN垂直结构MOSFET器件以及单片集成的GaN光电/功率模块,世界最高击穿电压的硅基GaN垂直结构P-i-N二极管以及SBD等；提出并建立了GaN电子器件极化库仑场散射理论，为GaN HEMT器件的电学性能优化提供重要理论基础；发表SCI等高水平学术论文数百篇。

科研方向聚焦新一代半导体单晶生长、器件制备及集成研究,具体包括：

● 新一代半导体单晶衬底材料及性能调控

SiC、 GaN、 Ga2O3等高质量、大面积的单晶衬底生长，并对其缺陷形成、演化机制、掺杂机理和电学性能进行研究。

●宽禁带半导体材料外延生长及性能调控

SiC、 GaN、 Ga2O3等宽禁带半导体外延生长，并对其外延生长机制、导电机理和掺杂机理研究。

●宽禁带半导体器件及集成

SiC、 GaN、 Ga2O3等宽禁带半导体材料的射频、高频、大功率、光电和电子器件的制备、测试、器件建模、评估和集成的研究。