140100集成电路科学与工程（学术学位）
培养目标：
掌握本学科领域坚实的基础理论和系统的专门知识，掌握本学科的科学实验方法和技能；较好地掌握一门外国语，具有一定的国际学术交流能力；具有从事科学研究工作或独立担负专门技术工作的能力，在科学研究或工程技术工作中具有一定的组织和管理能力，有良好的合作精神和较强的交流能力；能够胜任集成电路科学与工程及相关领域的科学研究工作。
研究方向及研究内容：
1、集成电路设计
主要研究高性能处理器、系统级SoC芯片及设计技术。研究内容包括：
（1）高性能处理器体系架构、内核微架构、多核高速互联总线设计
（2）IP及系统芯片（SoC）设计技术
（3）数模混合集成电路设计
（4）集成电路验证与测试技术
（5）高可靠与安全设计
2、新一代半导体材料与器件
主要研究新一代半导体材料、器件及集成。研究内容包括：
（1）新一代半导体单晶衬底材料及性能调控
SiC、GaN、Ga2O3等高质量、大面积的单晶衬底生长，并对其缺陷形成、演化机制、掺杂机理和电学性能进行研究
（2）宽禁带半导体材料外延生长及性能调控
SiC、GaN、Ga2O3等宽禁带半导体外延生长，并对其外延生长机制、导电机理和掺杂机理研究
（3）宽禁带半导体器件及集成
SiC、GaN、Ga2O3等宽禁带半导体材料的射频、高频、大功率、光电和电子器件的制备、测试、器件建模、评估和集成的研究
3、集成微纳电子
主要研究基于新型半导体材料的高性能微纳电子、光电子、柔性、传感等器件与相关芯片集成。研究内容包括：
（1）薄膜半导体器件及微纳集成电路
基于氧化物半导体、有机半导体等，研究新型微纳器件、高灵敏传感、可延展电子器件、太赫兹高频电路以及三维集成电路堆叠结构
（2）低维柔性电子器件与功能芯片
聚焦底层架构与集成，研究具有传感、存算一体、类脑神经等功能的低维柔性电子器件及芯片
4、智能集成微系统
主要研究半导体芯片系统应用，打通芯片、电路、系统、应用全链条路径，各部分协同创新，不断推进产业发展。研究内容包括：
（1）北斗GNSS精密新时空微系统
（2）多源智能感知
（3）生物医学微光机电系统与智慧医疗
（4）脑机接口与类脑计算
学习年限：
全日制硕士研究生的学制为3年。
学分要求：
硕士研究生应修总学分不少于32学分，其中必修22学分（含前沿讲座、讨论班、社会实践及海外学分）。毕业授予硕士学位。
085403集成电路工程（专业学位）
培养目标：
熟练掌握集成电路设计的基本方法和流程，能够在从系统级到电路级的层次上对电路进行描述、设计与仿真。对通用EDA设计软件能熟练使用，能够进行单元电路从原理图到版图的设计。熟练掌握至少一门外国语，并掌握科学研究的一些基本技能和方法，具有从事高科技开发和独立担负专门技术工作的能力。
研究方向及研究内容：
1、集成电路设计
主要研究高性能处理器、系统级SoC芯片及设计技术。研究内容包括：
（1）高性能处理器体系架构、内核微架构、多核高速互联总线设计
（2）IP及系统芯片（SoC）设计技术
（3）数模混合集成电路设计
（4）集成电路验证与测试技术
（5）高可靠与安全设计
2、新一代半导体材料与器件
主要研究新一代半导体材料、器件及集成。研究内容包括：
（1）新一代半导体单晶衬底材料及性能调控
SiC、GaN、Ga2O3等高质量、大面积的单晶衬底生长，并对其缺陷形成、演化机制、掺杂机理和电学性能进行研究
（2）宽禁带半导体材料外延生长及性能调控
SiC、GaN、Ga2O3等宽禁带半导体外延生长，并对其外延生长机制、导电机理和掺杂机理研究
（3）宽禁带半导体器件及集成
SiC、GaN、Ga2O3等宽禁带半导体材料的射频、高频、大功率、光电和电子器件的制备、测试、器件建模、评估和集成的研究
3、集成微纳电子
主要研究基于新型半导体材料的高性能微纳电子、光电子、柔性、传感等器件与相关芯片集成。研究内容包括：
（1）薄膜半导体器件及微纳集成电路
基于氧化物半导体、有机半导体等，研究新型微纳器件、高灵敏传感、可延展电子器件、太赫兹高频电路以及三维集成电路堆叠结构
（2）低维柔性电子器件与功能芯片
聚焦底层架构与集成，研究具有传感、存算一体、类脑神经等功能的低维柔性电子器件及芯片
4、智能集成微系统
主要研究半导体芯片系统应用，打通芯片、电路、系统、应用全链条路径，各部分协同创新，不断推进产业发展。研究内容包括：
（1）北斗GNSS精密新时空微系统
（2）多源智能感知
（3）生物医学微光机电系统与智慧医疗
（4）脑机接口与类脑计算
学习年限：
全日制硕士研究生的学制为3年。
学分要求：
硕士研究生应修总学分不少于31，其中必修21学分（含海外学分、创新创业和专业实践）。毕业授予硕士学位。
