近日，山东大学微电子学院2018级本科生王震泽作为第一作者在微电子器件期刊IEEE Transactions on Electron Devices发表论文“Comparative Study of Short-Channel Effects between Source-Gated Transistors and Standard Thin-Film Transistors”，在新型结构薄膜晶体管短沟道效应研究中取得新进展。山东大学微电子学院张嘉炜教授和宋爱民教授担任本论文的通讯作者，山东大学为该论文的第一作者单位和通讯作者单位。

随着虚拟现实和增强现实等技术的发展，显示器的像素尺寸不断减小，传统薄膜晶体管的短沟道效应也愈发严重。该论文通过模拟仿真，分析并解释了一种新型薄膜晶体管Source-Gated Transistor（SGT）在短沟道情况下的工作机制，并在山东省高性能微纳器件与芯片集成工程技术研究中心制备了沟道宽度仅为500nm的薄膜晶体管，证明了该新型器件可大大降低短沟道效应的影响。这项工作为未来高端、高密度显示器驱动背板提供了一种与现有工艺兼容的解决方案。

图1.TFT和SGT的输出特性曲线（a-b）以及传输特性曲线（c-d）。

为了更好地培养微电子科技人才，山东大学微电子学院在本科生中实施全员导师制计划。导师制贯穿于本科四年大学生活始终，这让学生拥有更多地机会接触到科研，不仅给了学生充分发挥的平台，也为学生日后的学习奠定了基础。王震泽同学的导师为宋爱民教授和张嘉炜教授，并积极参与了新型薄膜晶体管相关研究工作。