NMEC 2: Next-semiconductor & Microelectronics Engineering Cross Lab 2
本研究室面向后摩尔时代的集成电路潜在颠覆性技术所需的新材料、新器件、新架构展开研究,主要内容如下:
研究并调控零维量子点、一维纳米线、二维材料等低维功能材料的物性,制备相关传感、光电、存储、逻辑等新型电子器件。
以柔性光电材料、器件物理机制、器件工艺和集成中的关键科学问题和技术难点为研究对象,面向新一代可穿戴电子、生物健康医疗等应用领域。
基于宽禁带与超宽禁带半导体材料,开发新一代垂直型功率器件与集成模块,研制高性能全波段LED发光器件以及单片集成Micro-LED显示芯片。