为进一步帮助研究生在学术层面开阔视野、开拓思维、提升素养,6月12日,集成电路学院举办“海右”博士生学术论坛暨学术诚信教育讲座,邀请优秀博士毕业生王鸣雁和陈蓉蓉作科研经验分享,学院副院长王以林教授出席活动并作讲座。
王鸣雁博士以“GaN基HFET强场电子输运与器件建模研究”为题,主要针对GaN基HFETs的电子输运和热输运对高频性能的影响,以及该器件的电子速度与短沟道效应进行探讨。结合自己撰写论文经历,分享科研经验。陈蓉蓉博士以“基于多孔P-GaN衬底β-Ga2O3外延薄膜的制备及其光探测器的研究”为题,围绕着P型GaN制备,P型GaN衬底上β型Ga2O3单晶薄膜制备和自供电深紫外探测器等内容,深入浅出的阐释了理论问题和研究成果,同时分享科研心得体会进行经验分享。
王以林对王鸣雁和陈蓉蓉的报告进行点评,肯定了两位博士 求真务实、踏实笃行 的学术态度,鼓励所有研究生保持清醒的思路和谦虚谨慎的态度,不畏科研困难,勇攀科研高峰。
随后,王以林以“恪守学术之诚,践行治学之道”为主题作学术诚信教育讲座,以国家和学校两个层面的规定为切入点,详细介绍了相关条例,对可能有歧义的条例进行了细致解读, 号召大家在学术研究中遵循学术规范,抵制学术不端行为,成为优良学术道德的践行者和良好学术风气的维护者。
笃志力行,守正创新。本次活动作为学院“集青年志,成中国‘芯’”文化季系列的重要部分,充分发挥了优秀博士生的榜样示范作用,进一步营造了积极健康的学术文化氛围,激励学院学子不断挑战自我、迎难而上,彰显山大学子的优秀基因,为支撑国家高水平科技自立自强做出山大贡献。
王鸣雁,集成电路学院2021级博士,师从林兆军教授,研究方向为宽禁带材料与器件,共发表十二篇SCI论文,其中以第一作者在国际微电子器件顶级期刊IEEE ElectronDevice Letters发表论文两篇。
陈蓉蓉,集成电路学院2021级博士,师从肖洪地教授,研究方向为宽禁带半导体材料的外延生长及高性能紫外光电探测器件的研发。以第一作者身份在AppliedPhysicsLetters、ACS Crystal Growth&Design等期刊发表SCI论文5篇。
王以林,集成电路学院副院长、教授、博士生导师、齐鲁青年学者,至今共发表SCI论文50余篇,引用4500余次(他引4000余次),h因子34。受邀担任Energies期刊编委,担任Nat. Commun., Phys. Rev. Lett., Phys. Rev. B, Appl. Phys. Lett.等领域内著名期刊的审稿人。入选江苏省“双创人才”、扬州市“绿扬金凤计划”领军人才。