山东大学集成电路学院面向国内外公开招收“集成电路科学与工程”博士后研究人员,具体要求如下:
一、招收方向
功率半导体模块封装(具体涵盖:SiC/GaN 宽禁带功率器件封装、IGBT 模块封装设计优化、功率模块热管理、功率封装可靠性与失效分析、功率模块异构集成技术)
二、招收条件与类别
(一)招收条件
1.具有良好的政治素质、道德修养,身心健康;
2.近3年或即将在国内外高水平大学或科研机构获得以下方向博士学位:080900 电子科学与技术(研究方向:微电子学与固体电子学、集成电路工程)140100 集成电路科学与工程(研究方向:先进封测、Chiplet 集成)085401 集成电路工程(专业学位,研究方向:封装设计、测试与可靠性)080500 材料科学与工程(研究方向:封装材料、焊接/ 界面工程)085600 材料工程(专业学位,研究方向:热界面材料、封装工艺),年龄不超过35周岁;
3.有较强的科研能力和学术研究潜力,博士阶段从事功率封装设计、先进封装集成、封装材料开发、封装热管理或可靠性相关研究,以第一作者身份发表本领域高水平学术论文1 篇及以上,具备独立开展科研工作的能力;
4.研究课题具有前瞻性、创新性和可行性;
5.全职从事博士后研究工作不少于21个月;
6.符合国家及学校相关招收要求。
具备以下研究经历者优先考虑:
1.拥有SiC/GaN 功率模块封装、IGBT 模块开发相关项目经验;
2.掌握ANSYS/Icepak 热仿真、封装结构仿真等工具,具备热设计与可靠性分析能力;
3.熟悉功率模块封装工艺、互连技术(键合、烧结、焊接等)、失效分析方法;
4.曾参与国家级/ 省部级科研项目研究。
(二)招收类别
山东大学统招博士后分为四大层次,分别为卓优博士后支持计划、特别资助类、重点资助类、项目资助类:
1.卓优博士后支持计划:包含博士后海外专项认定、学校统一遴选(每年1 批)、入选国家博新计划直接认定三种渠道。其中博士后海外专项认定需同时满足三项条件:一是在海外(含港澳台地区)取得博士学位,博士所属学科为业内公认世界一流学科,或博士导师为国际公认一流专家;二是申请人人事关系转入学校,全职开展博士后研究;三是申请人尚未回国(来华),或 2025 年 1 月 1 日后回国(来华)。
2.特别资助类:由学校统一组织遴选,每年开展2-3 批,入选国资计划 B 档人员可直接认定。
3.重点资助类:由各教学科研单位自主组织遴选,入选国资计划C 档人员可直接认定。
4.项目资助类:完全由各教学科研单位或科研团队自主开展遴选。
四、薪资待遇及综合支持政策
(一)薪酬待遇

学校统招博士后(含外籍博士后)实行年薪制,按招收类别分别提供相应薪酬待遇,最高年薪可达55.6万元(含属地生活补贴)。博士后符合相应条件,获选博士后国资计划及科研业绩评估考核资助,可额外叠加一次性奖励,最高可达22万元:
学院设有专项资金,给予博士后一事一议支持
济南市地方政策
(1)对符合条件的全职博士后人员,给予每人每月3000元补贴,最多不超过24个月。
(2)出站后留济符合相关条件的,给予10-30万元留济补贴。
(二)保障条件

五、发展路径
选拔优秀者进入教师或人才队伍
1.卓优博士后资助期满达到培养要求可转聘预聘制教学科研岗位,首次聘用岗位不受进人指标及高级职称指标限制,也可参加齐鲁青年学者等青年人才项目选拔。
2.特别资助类博士后期满达到培养要求可应聘相关学科教师岗位,也可参与齐鲁青年学者等青年人才项目的遴选。
3.重点资助类和项目资助类博士后期满考核达到要求者可根据各单位需求参加相关岗位招聘。
六、支持申报国家及山东省多个项目
(一)支持申报国家级人才项目、基金或博士后专项
1.支持符合条件的博士后依托山东大学申报国家级人才项目;
2.支持符合条件的博士后依托山东大学申报国家自然科学基金、国家社会科学基金。
(二)支持申报国家及山东省各类博士后基金项目

七、申请材料及申请方式
1.个人详细简历(包含教育经历、研究经历、获奖情况、代表论文列表);
2.博士学历学位证书(已毕业者提供,应届博士提供答辩证明);
3.代表性论文、专利等研究成果附件。
请应聘者将申请材料电子版压缩打包发送至招聘邮箱,邮件主题命名为「功率封装博士后应聘- 姓名 - 毕业院校」。招聘将根据申请材料进行初审,合格者将通知面试,招满即止。
补充须知:博士后常年接收报名,全年组织遴选;相关联合培养博士后流程可查阅山东大学人事部官方网站。
山东大学集成电路学院诚邀优秀青年人才加入,共同攻关功率半导体领域关键技术,服务国家集成电路产业发展!
八、联系方式
联系人:郭老师
联系电话:17686402023
电子邮箱:202584000114@sdu.edu.cn
其他未尽事宜,以学校相关通知为准。