学术纵横：含界面缺陷或体缺陷薄膜晶体管的器件物理

来源：发布时间：2018年08月11日点击数：

2018年6月20日星期四14：00由山东大学研究生院、党委研究生工作部主办，微电子学院承办的第52期(总第717期)“稷下风”研究生学术讲坛在中心校区知新楼C座1113会议室举行。刘川教授做客此次讲坛，刘教授讲述的主题是“含界面缺陷或体缺陷薄膜晶体管的器件物理”。本次讲坛由微电子学院宋爱民教授主持。

刘川教授的讲座主要涉及在较低温度甚至是溶液制备薄膜器件中由于晶体结构的无序性导致的大量缺陷，深入讨论了缺陷态对薄膜晶体管的影响和分析以及从材料和制备的角度，调控缺陷态、提高器件性能的一些探索。互动环节中，大家就自己感兴趣的问题纷纷发言，刘教授释疑解难，大家受益匪浅。

刘川，中山大学教授。在清华大学和英国剑桥大学分别获学士学位和博士学位。曾任日本国立物质材料研究机构（NIMS）博士后研究员，韩国东国大学助理教授。现工作于中山大学的电子与信息工程学院、光电材料与技术国家重点实验室。主要研究半导体材料和原理（有机和氧化物半导体）、薄膜晶体管的制备和器件物理、印刷电子元件与电路。研究工作由国家自然科学基金、广东省科学杰出青年基金青年珠江学者计划、科技创新青年拔尖人才等资助。已发表SCI论文70余篇。他引1000余次，获韩国信息显示协会金奖、英国IOP出版社青年人员研究奖。任Semiconductor Science and Technology杂志编委、Journal of Society for Information Display杂志副编辑。

上一篇：山东电子学会半导体器件与集成电路专委会换届会议暨“芯思维—新动能”发展论坛成功举办

下一篇：杨富华研究员、曹晓东副研究员做客微电子学院谈中国微电子现状

报告人		报告时间
报告地点

关于学院

学术纵横：含界面缺陷或体缺陷薄膜晶体管的器件物理