宽禁带半导体（包括GaN、SiC、Ga₂O₃等）器件在相控阵雷达、电磁轨道炮、射频微波通信、航空航天及高铁、新能源汽车、高压输电、日盲紫外探测等领域具有巨大的应用价值，是支撑国家重大战略需求，抢占下一代信息技术及国防安全技术的战略制高点。研究室开发了用热蒸发办法生长超低损伤和应力的SiO钝化层的技术，使得GaN HEMT器件部分关键参数提高两个量级以上，达到国际领先。研究室研制的Ga₂O₃基FET日盲探测器开关比高达8 × 10⁵，研制的Ga₂O₃肖特基二极管器件开关比>10¹⁰，理想因子低至1.02，均达到了目前国际上同类器件中的最高水平。以上结果发表在IEEE Electron Device Letters、Applied Physics Letters、Semiconductor Science and Technology 等，并被《Semiconductor Today》热点报导。