一、团队介绍
碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化镓（Ga2O3）等宽禁带半导体具有耐高压、耐高温、散热强、损耗小等优点，在电动汽车、光伏发电等领域具有重要应用前景。国家“十四五”规划在集成电路板块要重点发展“碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体”。新一代半导体材料与器件团队聚焦SiC、 GaN、 Ga2O3等宽禁带半导体的单晶衬底材料和外延薄膜材料的生长及其性能调控，以及射频、高频、大功率、光电和电子器件的制备、测试、建模和集成的研究，合力攻关科研难题，进行有组织的科研，突破“卡脖子”技术封锁，积极带动科研成果产业化。团队拥有教育部首批支持的新一代半导体材料战略科技创新平台，近五年来承担国家级项目30余项，省部级项目30余项，总经费5亿余元，发表SCI等高水平学术论文数百篇。
二、团队成员：
（一）招生导师
王以林，教授、博士生导师、齐鲁青年学者、集成电路学院副院长。主要研究方向为支撑后摩尔时代集成电路产业发展的新材料、新原理及新器件，包括新一代半导体材料与器件、二维材料自旋电子器件、量子物态与调控。至今共发表论文50余篇，被引用4000余次，h因子达33。承担国家自然科学基金重点项目子课题、科技部重点研发计划子课题，山东省自然科学基金重大基础研究项目/面上项目、国家重点实验室等开放课题、企业横向课题等项目10余项。
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刘超, 山东大学集成电路学院/晶体材料国家重点实验室教授、博士生导师、齐鲁青年学者，香港科技大学博士，瑞士洛桑联邦理工学院博士后。研究方向是宽禁带半导体材料与器件，主要包括GaN功率器件，Micro-LED, UV-LED，以及单片集成光电/功率模块等。迄今为止, 在本领域权威期刊以及功率半导体顶级会议ISPSD等共发表论文70余篇, 申请/授权发明专利10余项，研究成果被国际产业杂志亮点报道十余次。主持十余项国家级、省部级项目以及公司横向课题。
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李阳，教授，博士生导师，主要研究射频无源集成电路设计与先进工艺、传感存算一体化”芯片系统，IEEE高级会员，科技部中韩青年科学家、山东省高校集成电路创新团队带头人、山东省优青、山东省青年科技人才托举工程入选者、齐鲁青年学者，主持省部级以上项目10余项。已累计发表SCI检索论文80余篇，其中以第一作者/通讯作者在中科院一区文章40篇，包含封面文章10篇，授权国家发明专利15项，韩国发明专利11项，同时担任10余个期刊特约编辑、编委。
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钱凯，教授/博士生导师，齐鲁青年学者，博士毕业于新加坡南洋理工大学，致力于新一代半导体材料与器件、感存算一体化类脑芯片及医疗健康监测传感器研究。先后担任学院副院长、研究室主任、支部书记、徐州铜山区科技局副局长(挂职)等。发表SCI论文40余篇，申请/授权专利10余项，主持/参与国家、省部级项目10余项。
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郭庆磊，教授、博士生导师，主要的研究方向包括柔性/可穿戴电子器件与技术、宽禁带半导体器件及集成等，并在相关领域主持军委装发部、军委科技委、国家自然科学基金等10余项科研项目。截至目前，在Adv. Funct. Mater.、Small、npj Flexible Electronics、Appl. Phys. Lett.、IEEE TED等期刊上发表90余篇高水平论文。
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冀子武，曾先后就读/任职于山东大学物理系（学士）、中国海洋大学物理系（硕士）、 (日本国立)千葉大学物理系（博士）、（日本国立）東京大学固体物理研究所（博士后研究员）。并于2007年作为山东大学杰出人才从東京大学受聘回国，先后任物理学院、微电子学院教授，博士生导师。现为泰山学院兼职教授，東京大学共同研究员，民政部批准、团中央指导的在海内外有较高影响力和知名度的国家高级别学术组织《中国青年科技工作者协会》会员，日本物理学会会员，在日中国学者材料学会会员等。现为美国《Opt. Express》、《Appl. Phys. Lett.》、《J. Appl. Phys》及英国《Scientific Reports》等多种国际重要学术期刊的评审专家，国家自然科学基金、山东省自然科学基金、科技部及教育部科研基金项目以及高等学校博士毕业论文等方面的评审专家。主要从事低维（纳米）宽禁带（如GaN基）半导体材料/器件光电特性等方面的科学研究。
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（二）合作导师
王丽焕，副研究员，博士生导师，国家海外高层次青年人才。主要从事宽禁带半导体碳化硅单晶的生长、加工和性能研究；导电金属有机框架精准合成和电学性质研究；物理气相合成和化学气相合成研究。研究内容涵盖化学合成、界面化学、材料科学和凝聚态物理等领域，属于当前国际上多学科交叉领域的前沿热点之一。目前已发表学术论文10篇，其中以第一作者在Langmuir、Chinese Science Bulletin、Small、npj 2D materials and applications、Journal of Materials Chemistry C等国际学术期刊发表文章7篇。
徐明升，教授，博士生导师。主要从事碳化硅、金刚石等宽禁带半导体生长和光电器件制备工作，发表论文近40篇，授权专利19项，主持国家自然科学基金、博士后基金特别资助、省重大创新工程等多项科研项目。
韩吉胜，山东大学特聘教授，博士生导师，国家海外高层次人才，澳大利亚原子能科学和工程协会材料分会专家组成员、格里菲斯大学fellow、西电创新引智基地专家等，主要研究方向为SiC 功率器件、高温存储器等，发表SCI收录论文100余篇。
李树强，山东大学教授，博士生导师，主要研究化合物半导体材料、外延、芯片制备。曾任山东浪潮华光光电子公司外延部主任、技术总监，南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心教授。获省、市级科技进步奖和技术发明奖8项，已发表论文20余篇，授权专利30余项，参与编制行业标准2项。
杨祥龙，副教授，博士生导师。主要从事宽禁带半导体材料晶体生长和缺陷分析研究，发表SCI/EI收录论文30余篇，授权发明和实用新型专利10余项，作为负责人承担国家自然科学基金项目1项，国家重点研发计划课题1项，省部级项目3项；作为技术骨干，参与了国家自然科学基金重大项目、863、973等多项国家级和省部级项目。
肖龙飞，男，副研究员，博士生导师，主要开展碳化硅光导开关制备等工作，并设计制备了基于半导体材料的量子阱、反射腔等多种新型结构光导开关。承担GF重点项目课题2项，山东省重点研发计划1项，军工横向项目4项；参与国防十三五预研、863计划、国家重点研发计划等项目。以第一或通讯作者发表研究论文10篇，授权专利4项。
陈秀芳，女，教授，博士生导师教育部长江学者奖励计划，国家优秀青年科学基金获得者，山东省自然科学杰出青年基金获得者，山东大学杰出中青年学者。。2009年毕业于山东大学，获博士学位。2007年留学德国晶体生长研究所。主要从事宽带隙碳化硅等半导体材料、石墨烯二维材料及相关器件、超硬材料加工及纳米材料的研究。在该领域中，取得一系列重要应用型科研成果，先后主持承担了科技重大专项、“973”计划、国家重点研发计划、科技部“863”计划、山东省自主创新重大专项等20余项国家及省部级项目。在国内外学术刊物上发表论文30余篇，申请和获得授权发明专利20余项。获得2013年度“山东省技术发明一等奖”。
郁万成，山东大学研究员，博士生导师，国家海外高层次青年人才。2016年至2022年分别在中国科学院半导体研究所和日本名古屋大学从事教学科研工作，2022年6月来山东大学工作。作为负责人承担国家级青年人才项目1项，国家自然科学基金1项，山东省重大科技创新工程课题1项，华为技术有限公司横向项目2项。作为核心成员参与国家重点研发计划、自然科学基金面上项目、军委科技委国防创新特区等多项国家及省部级项目。在国内外主要刊物上发表论文十余篇，参与两本专业书籍的撰写，获得发明专利授权3项，申请日本专利1项、国际专利1项。主要从事宽禁带半导体材料的制备及表征，机器学习在材料领域的应用等研究工作。
徐现刚，男，1965年1月生，教授、博导，国家杰青、长江学者特聘教授。现任山东大学新一代半导体材料研究院主任。主要研究领域包括SiC单晶制备及器件、超宽半导体材料及器件、化合物半导体薄膜材料生长及器件。解决了宽禁带SiC单晶衬底的制备和超精密加工难题，形成了具有自主知识产权的核心技术，大幅推动了国产SiC电力电子、微波器件国产化研制进程；开展基于SiC衬底的GaN超高亮度LED、多种新型结构半导体光导开关制备；完成650nm、808nm可见光半导体激光器制备及产业化工作。在国内外发表论文400余篇，被引4000余次。授权发明专利100余项。主持/承担863计划、973计划、国家重点研发专项、核高基重大专项及自然科学基金仪器专项等项目。获得山东省科技进步一等奖（2003年），国防科学技术进步一等奖（2009年），山东省技术发明一等奖（2013年，第一完成人）。曾任国务院学位委员会委员，973首席专家，国家863计划半导体照明工程重大项目总体专家组专家，享受国务院政府特殊津贴专家，国务院学位委员会委员、中国晶体学会理事。
崔鹏，研究员，博士生导师，国家海外高层次青年人才。研究方向为氮化镓等宽禁带半导器件，发表学术论文60余篇，申请/授权国家发明专利18项。主持国家自然科学基金、山东省优秀青年基金（海外）等多项科研项目。
彭燕，女，研究员，博士研究生导师，山东大学仲英青年学者。主要从事宽禁带半导体材料研究工作，重点研究碳化硅、金刚石材料的制备、表征及应用研究，先后主持、参与国家基础研究计划、973、核高基及自然科学基金项目等10余项，发表SCI论文40余篇，申请/授权专利近30项。参与撰写科学出版社《宽禁带半导体电子材料与器件》，CRC出版社（Taylor & Francis集团）《Phosphor Handbook》及《第三代半导体产业人才发展指南》等。
谢雪健，男，研究员，博士生导师，山东大学“齐鲁青年学者”。主要从事宽禁带半导体碳化硅单晶材料生长技术及单晶缺陷性能表征研究，发表SCI/EI收录论文20余篇，授权发明专利5项，主持国家自然科学基金、JKW引领基金、山东省自然科学基金等项目；作为技术骨干，参与国家重点研发计划、国家自然科学基金等多项国家级和省部级项目。
Handoko Linewih，山东大学特聘教授、博士生导师，国家海外高层次人才，从事宽禁带半导体器件设计和集成电路设计研究。申请和授权了宽禁带半导体器件相关专利20余项。
马瑾，二级岗教授，享受国务院政府特殊津贴专家。研究方向为宽带隙半导体材料与器件。主持国家级项目10项。获得教育部自然科学一等奖1项，获得国家发明专利12项，出版《透明氧化物半导体》专著一部，发表SCI收录论文160余篇。
王亮，山东大学集成电路学院研究员。主要从事新一代半导体材料器件及薄膜光电子器件的集成一体化研究。迄今为止，以第一/通讯作者（含共同）的身份在 Nat. Energy、Nat. Commun.、Sci. Adv、等期刊上发表高水平论文。主持多项国家自然科学基金项目和省部级项目。先后获得中国电子学会全国优秀博士论文、中国电子学会自然科学二等奖、湖北省自然科学一等奖。
王凌云，集成电路学院研究员，泰山青年，省海外优青。2019.7获得香港城市大学博士学位，随后在香港中文大学及香港城市大学从事博士后研究。现研究方向为柔性功能材料及柔性可穿戴智能器件以及新一代半导体材料与器件。迄今在国际高水平期刊发表SCI论文28篇，申请多项美国及中国专利。受邀担任国际期刊Frontiers in Electronics: Wearable Electronics 副主编及Nanomaterials 客座编辑。
冯先进，男，副教授，博士生导师。本科至博士阶段均就读于山东大学，博士毕业后曾先后赴德国和美国从事博士后研究。有着多年的半导体薄膜材料与器件方面的研究经验，研究内容涉及金属氧化物薄膜材料、场效应晶体管、太阳能电池、肖特基二极管等。主持国家和省部级科研项目9项，在国际知名期刊上发表SCI论文超过70篇，以第一发明人获得授权国家发明专利6项。所指导的多名研究生因科研成果突出曾荣获“山东省优秀硕士学位论文”、“山东大学优秀硕士学位论文”、“山东大学第十一届五四青年科学奖”、“国家奖学金”、“校长奖学金”等荣誉、奖励。
冯华钰，副研究员，硕士生导师，主要从事新一代半导体氧化镓外延、器件、微纳加工方向的研究；相关研究与山东大学新一代半导体研究院氧化镓课题组合作开展，具有包括Mist-CVD、HVPE、MOCVD多种外延方法协同攻关能力；目前，我们已成功生长 2 英寸 α-Ga2O3 外延片，其日盲光电探测指标处于同行前列；同时在光电器件方向，采用纳米孔结构，有效抑制了氧化镓光电器件中的持续光电导效应（PPC），其光电探测指标处于世界前列（ACS AMI, 2023）。
庄昕明，山东大学集成电路学院研究员，齐鲁青年学者，山东省高层次人才。本硕博毕业于电子科技大学，2018年至2020年在美国西北大学进行交流访问。在PNAS, J. Am. Chem. Soc., Nano Lett., Adv. Sci., Nat. Mater., Adv. Mater.等期刊发表第一/通讯作者论文16篇。授权发明专利10项。
刘敏，副研究员，硕士生导师。博士毕业于北京大学现代光学研究所，曾在新加坡国立大学物理系从事博士后工作。主要研究方向为新一代半导体材料与器件，钙钛矿量子点复合材料、有机-无机光电材料研究等。
肖洪地，教授，主要从事宽带隙半导体（如：氧化镓、氮化镓）薄膜外延生长及相关器件的研究，先后承担国家级、省部级项目十余项、发表SCI论文百余篇、申请发明专利五项，所培养研究生多人获得国家奖学金。
林兆军，教授，主要从事GaN电子器件和电路模块研究。1999年到2003年，分别在加拿大McMaster University和美国Northwestern University、Ohio State University多所大学从事科学研究工作。现已主持多项国家自然科学基金项目、省部级项目、军工项目和横向项目，作为第一作者和通讯作者发表SCI收录论文70多篇，授权2项发明专利。
庞智勇，副教授，硕士生导师。研究方向包括有机半导体电学、光学性质及其自旋调控、新一代半导体材料与器件、电力载波通讯芯片、超导量子芯片高精度测控等。作为项目负责人及主要研究人员先后承担国家级科研项目11项，省部级项目6项，企业横向项目2项，发表SCI学术论文70篇，获授权国家发明专利9项。
栾彩娜，山东大学集成电路学院，高级实验师、硕士生导师。从事宽带隙氧化物半导体薄膜材料和半导体器件性能研究。承担国家自然科学基金青年项目1项。在本领域发表多篇SCI收录学术论文，包括Applied Surface Science，Journal of Alloys and Compounds, Ceramics International等期刊。
郭启凯，博士，副研究员，山东省泰山学者青年专家，山东省海外优青。主要从事氧化物薄膜、宽禁带半导体等材料的外延生长与器件集成等工作。先后主持国家级和省部级项目5项，发表SCI论文30余篇，授权国家发明专利5项。
王荣堃，男，凝聚态物理学博士，山东大学新一代半导体材料研究院副研究员，硕士生导师。主要从事碳化硅半导体材料激光超精密加工技术、高功率半导体激光芯片及泵浦源研发工作。发表SCI收录论文 10 余篇，申请授权国家发明专利 6项。承担国家重大项目课题、国家自然科学基金、省重大科技创新工程、省自然基金等项目5项；作为技术骨干，参与国家重点研发计划、国家自然科学基金等多项国家省部级项目。
钟宇，副研究员，山东省泰山学者青年专家，博士毕业于德国拜罗伊特大学。研究方向为碳化硅功率器件的制备与开发、光电器件物理的研究，主持多项国家和山东省自然科学基金项目等。在Nat. Commun., Adv. Funct. Mater.等权威期刊发表SCI论文15篇，引用500余次。
崔潆心，副研究员，硕士生导师，山东省泰山学者青年专家。主要从事宽禁带半导体材料与器件研制工作，包括碳化硅性质与缺陷研究、高可靠碳化硅功率器件研制、碳化硅功率模块制备、碳化硅材料与器件可靠性等研究。主持和参加了山东省自然科学基金、山东省重点研发计划、国防科工局、中物院重大项目等。发表SCI/EI收录论文20余篇，牵头制定行业标准5项。
朱阳军，芯长征科技有限公司
杨列勇，中芯北方集成电路制造（北京）有限公司
朱振，山东华光光电子股份有限公司
（三）其他人员
吕兵兵、黄博达、戴子忆、魏琳
三、团队联系人
王以林
电话：0531-88390181-8309
邮箱：yilinwang@sdu.edu.cn
