为帮助本院学生了解氧化镓外延与光电器件的发展，4月14日，集成电路学院举办了“芯”系未来系列活动（第六十二期）——氧化镓外延与光电器件的发展。本次活动由集成电路学院副研究员冯华钰主讲，学院党委副书记路丽丽主持活动。

山东大学研究团队在氧化镓外延与光电器件领域取得重大突破，引领新一代半导体技术发展。由山东大学集成电路学院副研究员冯华钰领衔的研究团队，致力于氧化镓材料的外延和光电器件研究，为该领域的发展作出了卓越贡献。氧化镓作为一种具有4.4-5.3eV禁带宽度的材料，相较于SiC和GaN材料具有更高的击穿场强，因此在日盲紫外光电探测、车载功率器件、射频功率器件等方向展现出了巨大的应用潜力。山东大学氧化镓研究起步早，尤其在材料方向，特别是单晶衬底方向已经形成较大的影响力。该研究团队与新一代半导体研究院合作开展相关研究，主要集中于外延和器件两个方向。

实验室已经具备多种外延方法，包括Mist-CVD、HVPE，同时还将引入氧化物MOCVD外延设备。新一代半导体研究院氧化镓课题组拥有国内最先进的氧化镓单晶生长技术，而集成电路学院则拥有完整的微纳加工平台和测试平台，两者共同开展氧化镓同质外延和异质外延及相关器件的研发工作。目前，他们已成功生长了2英寸Si掺杂a-Ga203异质外延片，其日盲光电探测指标位于同行前列。此外，研究团队还成功发展了FIB加工方法，制备的氧化镓日盲光电探测器在相关指标上处于世界前列。

这些研究成果不仅将推动氧化镓技术的发展，也将为新一代半导体技术的进步贡献力量。山东大学研究团队的努力和成就为我国半导体领域的发展注入了新的活力，为未来的科技创新和产业发展带来了更广阔的前景。他们的研究成果将为我国半导体产业的发展提供强有力的支持，为我国在国际半导体领域的地位提升贡献力量。

本次活动是“芯”系未来系列活动——“芯科研”的第二十五期活动。通过冯华钰的讲解，学生们对氧化镓外延与光电器件有了进一步了解，这拓宽了学生们的视野，提高了他们对集成电路前沿领域的兴趣。