朱庚昌，男，微电子学院2014级博士研究生，专业：微电子学与固体电子学。

一、论文发表情况

1.Performance enhancement of AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistors by thermally evaporated SiO passivation. Applied Physics Letters 109, 113503 (2016). 作者位次：第1位。论文级别：国际期刊, 收录方式：SCI, 影响因子：3.142.

2.GaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistors using thermally evaporated SiO as the gate dielectric. Semiconductor Science and Technology 33, 095023 (2018). 作者位次：第1位。论文级别：国际期刊, 收录方式：SCI, 影响因子：2.28.

二、申请专利情况：

一种高电子迁移率晶体管栅介质的制备方法.专利类型：发明专利.专利登记号：201810444648.6.登记日期：2018-05-10. 作者位次：2.

公示时间：2018年9月27日-2018年9月29日

公示邮箱：wdzyjw@sdu.edu.cn