6月12日晚，微电子学院举办了“芯系未来”系列活动（第十一期）——新一代垂直型氮化镓功率器件与单片集成模块。本次活动特邀山东大学齐鲁青年学者、微电子学院教授、博士生导师刘超主讲，学院党委副书记崔剑主持活动。

刘超教授首先介绍了GaN功率半导体应用场景及市场分析。他指出，GaN功率器件将在消费类电子、电动汽车、工业电源等领域广泛应用，前景十分光明。相比当下主流的功率器件，GaN功率器件尺寸更小，开关速度更快。垂直型GaN功率器件还可大幅减小功率系统的重量、体积和成本，是GaN功率器件未来的发展方向。

随后，刘超教授详细介绍了垂直型GaN功率器件的研究进展和自己所在课题组取得的技术突破。他指出，垂直型GaN功率器件有GaN-on-GaN和GaN-on-Si两种技术路线。GaN-on-GaN功率器件晶体质量较高、电流扩展性好，但成本偏高；GaN-on-Si功率器件可实现大尺寸、低成本制造，但晶体质量较差，难以实现高击穿电压、低导通电阻。为解决GaN-on-Si功率器件的技术难题，刘超教授课题组研发了基于硅基GaN的p-i-n二极管，肖特基二极管，世界首个GaN-on-Si垂直结构功率MOSFET，以及世界首个基于垂直型GaN的集成功率模块技术。刘超总结说道，他所带领的课题组致力于研发高性能、低成本垂直型GaN功率器件与模块，这将推动整体产业的加速发展。

本次活动为学生们科普了GaN功率器件的发展历程与最新成果，培养了学生们的科研创新热情，激励学生们刻苦学习，勇攀微电子行业的高峰。