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3.紫外曝光系统

发布日期:2019-06-10 作者: 点击:


1. 仪器名称:紫外曝光系统

型号和规格:MBJ4

生产厂商:SUSS

2. 仪器主要用途

光刻胶紫外曝光和套刻曝光,MJB4配有高可靠和高精度的对准系统,同时具备亚微米量级的高分辨率图形转移能力。

3. 主要技术指标

1)两种紫外光源:365 nm(功率密度~14 mW/cm2), 405 nm(功率密度~15 mW/cm2.

2)四种接触模式: Soft contact, Hard contact, Vacuum contact, Low vacuum contact.

3Mask Holder兼容3– 5寸的光刻版.

4. 样品要求(如有)

样品尺寸小于2 英寸

5. 安放地点:软件园校区教研楼超净间

6. 联系人:贾磊,邮箱:nano@sdu.edu.cn



1. 仪器名称:光刻机系统(包括匀胶机和烘胶台)

型号和规格:H94-25C

生产厂商:四川南光

2. 仪器主要用途

在半导体器件制备过程中做光刻用途。

3. 主要技术指标

硬接触曝光的最小分辨率可达3 µm

样品尺寸:样品尺寸小于2 英寸

4. 安放地点:软件园校区教研楼超净间

5. 联系人:栾彩娜,邮箱:cnluan@sdu.edu.cn




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