1． 仪器名称：干法刻蚀系统

型号和规格：PlasmaPro® 100 Cobra

生产厂商：牛津仪器

2． 仪器主要用途

可工作在ICP模式又可RIE模式的干法刻蚀系统，用于半导体等材料的干法刻蚀，目前可以刻蚀的材料：IGZO, InGaAs, GaAs, InP, GaN, SiO₂

3． 主要技术指标

ICP 功率：最大可达3000 W，频率 13.56 MHz

低位电极功率：最大可达 300 W，频率 13.56 MHz

本底真空度：小于4 × 10^-6 Torr

极限真空度：3 × 10^-7 Torr

9路工艺气体气路：CH₄；H₂；BCl₃；Cl₂；SiCl₄；O₂；SF₆；CHF₃；Ar

4． 样品要求（如有）

样品尺寸小于2 英寸，不能刻蚀金属材料

5． 安放地点：软件园校区教研楼超净间

6． 联系人：贾磊，邮箱：nano@sdu.edu.cn