[1]“一种带隙宽度可调的铝铟氧化物薄膜材料及其制备方法”，授权专利号：ZL 201410036256.8,发明专利，发明人：马瑾，李钊，栾彩娜。

[2]“一种有机单晶自旋二极管及其制备方法”，授权专利号：ZL201410539361.3，发明专利，发明人：庞智勇，宋辉，赵宇，谢万峰，韩圣浩。

[3]“一种自组装8羟基喹啉铝结晶微/纳米颗粒制备方法”，授权专利号：201510043802.5，发明专利，发明人：庞智勇，谢万峰，韩圣浩，姜丰，邬宗永。

[4]“一种8羟基喹啉金属配合物结晶微/纳米棒的制备方法”授权专利号：ZL201510044697.7，发明专利，发明人：庞智勇，谢万峰，韩圣浩，袁慧敏，宋辉，范继辉。

[5]“一种8羟基喹啉金属配合物微/纳米管及其制备方法”授权专利号：ZL201510577471.3，发明专利，发明人：庞智勇，谢万峰，戴成虎，韩圣浩。