[1]“一种高性能多元非晶金属氧化物薄膜晶体管的制备工艺”，授权专利号：201811250452.X，发明专利，发明人：冯先进,徐伟东。

[2]“一种光电性能优异的多元非晶金属氧化物半导体薄膜的制备方法”，授权专利号：201811248168.9，发明专利，发明人：冯先进,徐伟东。

[3]“一种低电阻率n型氧化亚铜薄膜的真空制备工艺”，授权专利号：201810466705.0，发明专利，发明人：冯先进,许萌，刘晓辉。