金属氧化物半导体薄膜材料与器件

金属氧化物半导体材料具有高迁移率、高稳定性、工艺简单、低成本、可柔性、透明等优点，在透明电极、薄膜晶体管、太阳能电池、传感器等领域有着广泛的应用前景。近年来，研究室对PLD法高质量P型Cu2O薄膜的外延生长及其光电性质调控进行了创新性研究，并通过等离子体处理实现了兼具低电阻率和高迁移率的n型Cu₂O薄膜，同时对Cu2O薄膜在太阳能电池中的应用进行了探索性研究。此外，我们还对新型非晶铟铝锌氧（IAZO）TFT 的制备工艺与特性进行了创新性研究，制备出了饱和迁移率最高超过20 cm²/Vs，开关比超过7×10⁷ 且性能稳定的IAZO TFT。上述性能指标均已达到了目前国际上同类器件的最高水平。相关研究结果已经被发表于Applied Surface Science、IEEE Electron Device Letters、IEEE Transactions on Electron Devices、Journal of Alloys and Compounds 等领域内知名SCI期刊。

         高质量Cu₂O外延薄膜的TEM图。

                                                                                                                                           IAZO TFT器件结构及其偏压稳定性。