王卿璞，男，山东梁山人，中共党员，理学博士学位，现任山东大学微电子学院教授、学术委员会副主任；中国物理学会会员，山东电子学会副理事长，山东电子学会集成电路与半导体器件专委会主任委员；山东集成电路产业技术创新战略联盟理事长，山东省高校集成电路人才培养联盟理事长，山东省济南市半导体行业协会理事长。2006年3 -5月英国曼彻斯特大学高级访问学者，2015年11月美国麻省理工学院等高校访问。先后主持完成国家自然科学基金和教育部博士点基金、山东省自然科学基金、山东省科技攻关计划、山东省重大研发计划等项目多项，发表SCI、EI等科研论文五十余篇。2018年获得国家教学成果二等奖一项，省级教学成果特等奖一项、二等奖一项；2019年获得山东大学教学成果二等奖一项。2021年编著出版专业教材《半导体光物理过程》一部。
1980年9月—1983年7月，在山东省郓城第一中学学习。
1983年9月—1987年7月，在山东大学物理系学习。
1987年7月—1997年3月，历任物理系助教、讲师、辅导员、团总支副书记、团总支书记。
1997年4月—2001年7月，任物理系副教授、党总支副书记。
2001年8月—2003年12月，任物理学院副教授、教授、党委副书记。
2004年1月—2012年12月，任物理学院教授、党委书记。
2013年1月—2016年4月，任信息科学与工程学院党委书记、教授。
2016年4月—2022年1月，任微电子学院党委书记、副院长、教授、学术委员会副主任。
2022年1月—至今， 任微电子学院教授、学术委员会副主任。
1.宽带隙半导体材料与器件研究；
2.氧化锌薄膜掺杂特性研究；
3.CIGS太阳能电池；
4.太赫兹器件研究；
研究生课程：半导体光学；
本科生课程：半导体工艺、半导体器件物理、微电子前沿讲座
1.新型CIGS薄膜太阳能电池应用基础研，山东省科技攻关计，项目编号：2009GG10007009，经费：20万元.
2. 新型氮化镓基太赫兹器件及电路的应用研究，高校自主创新计划项目：济南市科技局，经费：12万元，时间： 2014-01-01—2016-12-30.
3. 基于氮化镓/铟镓砷的太赫兹发射与探测器件研究，中国工程物理研究院合作项目，合同编号：WF2013-329，项目批准号：CAEPTHZ201301，经费：30万元。时间：2013.11.30—2015.6.30.
4. 10kW太阳能电池并网逆变器样机研发，与公司合作项目，合同编号：11131305，经费：8万元，时间：2014年02月15日至2015年02月15日.
5. 高密度封装基板热阻测试分析。中科院微电子所合作项目。
合同编号：11131519， 经费：3.6万元，时间：2016年03月15日至2017年12月15日.
6.太赫兹照相机的研制，山东省重大研发计划，项目编号：2017GGX10121，经费：25万，时间：2017年01月1日至2019年12月30日.
7.高密度封装基板热阻研究，与公司合作项目，合同编号：12231701，经费：15万，时间：2017年10月1日至2022年10月1日.
8. LPCVD工艺中SIPOS玻璃钝化芯片特性研究。与公司合作项目，合同编号：1500019010，经费：15万，时间：2019-12-16 -- 2022-12-16.
9. 集成电路专业知识体系研发项目. 与公司合作项目，合同号:1500019008 . 经费：15万，时间：2019-11-20 -- 2020-12-31.
10.GF2019****新型探索。省重大研发计划，经费：180万，时间：2019年01月1日至2022年12月30日.
11. 基于LiTaO3材料的太赫兹探测器研究。苏州科技发展计划，项目编号：(SYG201833)，经费：5万。时间：2018年07月01日-2021年6月30日。
12.集成电路封装标准化研究，横向合作课题，经费：10万，时间：2021年12月16日-2022年12月16日。
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(1) 王卿璞，鲁海瑞，一种基于太阳能电源和物联网技术的消防天窗控制系统及其应用. 发明专利，授权专利号：ZL 2014 1 0239958.6,授权日：2017 年 4 月19 日。
(2) 王汉斌，王卿璞，一种蒸发法制备铜铟镓硒太阳能电池吸收层的方法, 专利授权号：ZL201210108913.6，授权日期：2014.08.06
(3) 王汉斌，宋爱民，王卿璞，一种减少蒸发镀膜设备中衬底或其上材料受烘烤升温影响的装置与应用，发明专利，专利申请号：201511025642.8
(4) 王汉斌，宋爱民，王卿璞，一种避免衬底或其上材料受烘烤损坏的蒸发镀膜设备及应用，发明专利，专利申请号：201511028619.4
(5) 王卿璞，王建飞、闫兆璋、韩韧博、李晶英、刘灵娟，一种基于太阳能自感应技术的便携式可移动照明系统，授权专利号： ZL 2018 2 2145308.1，授权公告日：2019 年 7 月 12 日。
(6) 张翼飞，孟令成，王卿璞，宋爱民一种基于周期性结构的人工表面等离激元微流控芯片结构及其制备、检测方法。发明专利，专利申请号：202110298786.X。
(7) 张翼飞，凌昊天，宋爱民，王卿璞，一种基于IGZO肖特基二极管动态调控超材料方法。发明专利，授权专利号：ZL 2019 1 0893666.7,授权日：2021年1月08日。
1．山东省研究生教育创新计划立项项目：集成电路专业学位研究生创新培养模式的研究，主持人，项目编号：SDYY12073。
2．2016 年山东大学教改重点项目：“微电子战略产业创新人才协同培养模式”，主持人，项目经费：30 万。
3. 教育部新工科建设项目：面向现代医疗的生物微电子新工科人才培养体系建设，第二位，项目经费：30万。
4．2019年山东大学教改项目：任务驱动下教育拓展工作方法途径研究。项目主持人。
1. 国家教学成果二等奖： 2018年12月“课赛结合iCAN+iSTAR任务驱动”创新工程实践慕课空间协同育人新模式获得国家教学成果二等奖（第三位）。
2. 山东省第八届高等教育省级教学成果奖二等奖：“集成电路工程研究生创新人才培养模式改革”2018年1月获得山东省第八届高等教育省级教学成果奖二等奖（第一位，证书号：GJ20180243）。
3. 2018年山东省第八届高等教育省级教学成果奖特等奖：“课赛结合iCAN+iSTAR任务驱动”创新工程实践慕课空间协同育人新模式”获得山东省第八届高等教育省级教学成果奖特等奖（第二位，证书号：GJ20180002）
4.第三届山东大学研究生教育教学成果二等奖”：2018年10月“集成电路工程研究生创新人才培养模式改革” 获得第三届山东大学研究生教育教学成果二等奖”， 第一位.
5.山东大学2019 年校级教学成果二等奖：微电子与集成电路产教协同创新人才培养体系研究（项目号2019B22）2020年4月获得山东大学2019 年校级教学成果二等奖。第一位。
6.山东省教学成果一等奖：2000年11月“加强基地建设，培养创新人才”获得山东省教学成果一等奖。第五位。
7.2021年1月编著出版专业教材《半导体光物理过程》一部，约31万字。
1.1989~1991 年连续三年被评为山东大学优秀辅导员；
2.1993 年被评为山东大学优秀党员；
3.1993 年被评为山东省大学生社会实践优秀指导者；
4.1993 年获山东省”青春立功”三等功；
5.1995 被评为山东大学优秀党员；
6.1997 年被评为山东大学优秀党务工作者。
7.2000 年 11 月“加强基地建设，培养创新人才”获得山东省教学成果一等奖。
8.2002 年被评为山东大学毕业生就业指导先进个人。
9.2010 年被评为山东省大中专生“三下乡”社会实践活动优秀指导者。
10.2015 年指导研究生参加“第七届山东省大学生科技节---物理科技创新大赛” 荣获一等奖，授予“优秀指导教师”荣誉称号。
11.2016 年 9 月被评为山东大学先进教育工作者。
12. 2016 年 6 月被评为山东大学优秀党务工作者。
13.2016 年指导研究生参加华为杯“第十一届中国研究生电子设计竞赛，荣获华北分赛区团队三等奖。
14.2017 年获得山东大学教育拓展“十年贡献奖”。
15.2018 年 12 月指导学生“基于 51 单片机实现可移动便携式远程控制自感应太阳能照明系统”获得第十届山东省大学生科技节-第四届“山大微电杯”单片机应用创新设计大赛二等奖，刘灵娟、闫兆璋、韩韧博、李晶英.
16. 2019 年获得山东大学教育拓展“十五年特别贡献奖”。
17.2021年获得山东大学教育拓展“优秀个人”奖。
已经培养毕业的研究生30余名，研究生毕业后主要从事电子信息行业，是国家的战略产业行业，属于朝阳产业，大部分单位集中在中国工程物理研究院、中国电子科技集团、中国航天科技集团等各研究所或企业，以及华为、中兴、展讯、中国移动、浪潮等大型微电子先进技术行业公司，部分同学在各级通讯公司、银行、国内高校等单位，有少数同学出国深造、工作；学生的工资待遇在同行业属于较高收入，发展前景广阔。
微电子学院现有的材料生长、器件工艺加工、材料和器件以及半导体芯片性能测试设备总值近 8000 万元，建有近 700 多平米的千级超净实验室。在强有力的硬件条件支撑下，微电子学院科学研究已融入微电子前沿主流的研究方向，研究内容全面覆盖半导体材料、半导体器件和集成电路设计等微电子领域的重要研究方向，并与工业界建立了密切的联系。依托微电子学院的纳电子工程研究中心，由特聘教授宋爱民院长带领学术团队 2018 年成功获批山东省高性能微纳器件与芯片集成工程技术研究中心，该中心拥有目前国内外一流的高精尖纳米加工设备（7nm）和超高频太赫兹检测设备（750GHz）、完备的导体、半导体及绝缘体薄膜生长系统（蒸发台、溅射仪、PLD、MOCVD、PECVD 等）、薄膜表面形貌分析测试平台（AFM、SEM 等）、电学与光学性能分析测试平台等，研究条件和能力已达到国际领先水平，在柔性肖特基二极管、氧化物三极管、太赫兹技术等器件速度方面，研究水平国际先进，目前还保持着两项世界纪录；本团队在国内纳电子学科可培养高层次、实用型、复合型、国际化微电子专业人才，为学生的科学研究、成长发展创造了良好的硬件条件和科研环境，欢迎广大学子前来参与、共赢未来。
电子邮箱：wangqingpu@sdu.edu.cn; 电话：0531-88390181或88390182转8202.
